EAC 模型是一種通過拋光斜面部分（半導體晶片的端面）和晶片前后表面的邊緣部分來去除缺陷和不必要的薄膜的裝置。 固定的磨粒允許進行物理拋光，而拋光目標沒有選擇性。 此外，配方可控的拋光頭可實現(xiàn)對晶圓端面形狀的高精度控制。